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42359662SB1216S-E絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SB1216S-E

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規格
  • 部品型番
    2SB1216S-E
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PNP 100V 4A TP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    2SB1216S-E.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    100V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    500mV @ 200mA, 2A
  • トランジスタ型式
    PNP
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TP
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    1W
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    2 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    130MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 4A 130MHz 1W Through Hole TP
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    140 @ 500mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    1µA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    4A
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