2024年の電子展の聴衆のための指示

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36554022SB1215T-H絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SB1215T-H

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規格
  • 部品型番
    2SB1215T-H
  • メーカー/ブランド
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    在庫あり
  • 説明
    TRANS PNP 100V 3A TP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)
    100V
  • IB、IC @ Vce飽和(最大)
    500mV @ 150mA, 1.5A
  • トランジスタ型式
    PNP
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TP
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    1W
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル(MSL)
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    7 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    130MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 130MHz 1W Through Hole TP
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小)
    200 @ 500mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断(最大)
    1µA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ(Ic)(Max)
    3A
  • ベース部品番号
    2SB1215
2SB1216S-H

2SB1216S-H

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2SB1205S-E

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2SB1216S-TL-H

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2SB1215T-TL-H

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2SB1215S-E

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