2024年の電子展の聴衆のための指示

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W97BH6KBQX2E

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規格
  • 部品型番
    W97BH6KBQX2E
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    15ns
  • 電源電圧 -
    1.14 V ~ 1.95 V
  • 技術
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • サプライヤデバイスパッケージ
    168-WFBGA (12x12)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    168-WFBGA
  • 運転温度
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    2Gb (128M x 16)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    DRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 400MHz 168-WFBGA (12x12)
  • クロック周波数
    400MHz
W97BH2KBVX2I

W97BH2KBVX2I

説明: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

メーカー: Winbond Electronics Corporation
在庫あり
W97BH2KBVX2E

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説明: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

メーカー: Winbond Electronics Corporation
在庫あり
W97AH2KBQX2E

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説明: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

メーカー: Winbond Electronics Corporation
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W97AH6KBVX2I TR

W97AH6KBVX2I TR

説明: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

メーカー: Winbond Electronics Corporation
在庫あり
W97BH6KBVX2I

W97BH6KBVX2I

説明: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

メーカー: Winbond Electronics Corporation
在庫あり
W979H6KBVX2E TR

W979H6KBVX2E TR

説明: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

メーカー: Winbond Electronics Corporation
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W979H6KBVX2I TR

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

メーカー: Winbond Electronics Corporation
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W97AH6KBVX2E TR

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メーカー: Winbond Electronics Corporation
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説明: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

メーカー: Winbond Electronics Corporation
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説明: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

メーカー: Winbond Electronics Corporation
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W97BH2KBQX2I

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メーカー: Winbond Electronics Corporation
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メーカー: Winbond Electronics Corporation
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メーカー: Winbond Electronics Corporation
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W97AH2KBVX2I

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メーカー: Winbond Electronics Corporation
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メーカー: Winbond Electronics Corporation
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W97AH2KBVX2E

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W979H6KBVX2I

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