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4541485SUP85N10-10-GE3絵Vishay Siliconix

SUP85N10-10-GE3

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規格
  • 部品型番
    SUP85N10-10-GE3
  • メーカー/ブランド
    Vishay / Siliconix
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.SUP85N10-10-GE3.pdf
    2.SUP85N10-10-GE3.pdf
  • 電圧 - テスト
    6550pF @ 25V
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    10.5 mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs（最大）
    4.5V, 10V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • シリーズ
    TrenchFET®
  • RoHSステータス
    Digi-Reel®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    85A (Tc)
  • 偏光
    TO-220-3
  • 他の名前
    SUP85N10-10-GE3DKR
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    24 Weeks
  • 製造元の部品番号
    SUP85N10-10-GE3
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    160nC @ 10V
  • IGBTタイプ
    ±20V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    3V @ 250µA
  • FET特長
    N-Channel
  • 拡張された説明
    N-Channel 100V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    -
  • 説明
    MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    100V
  • 静電容量比
    3.75W (Ta), 250W (Tc)

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説明: MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB

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説明: MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
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説明: MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
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説明: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB

メーカー: Vishay Siliconix
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説明: MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB

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説明: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
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説明: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB

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