2024年の電子展の聴衆のための指示

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SI4288DY-T1-GE3

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規格
  • 部品型番
    SI4288DY-T1-GE3
  • メーカー/ブランド
    Vishay / Siliconix
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SI4288DY-T1-GE3.pdf
  • 電圧 - テスト
    580pF @ 20V
  • 電圧 - ブレークダウン
    8-SO
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    20 mOhm @ 10A, 10V
  • シリーズ
    TrenchFET®
  • RoHSステータス
    Cut Tape (CT)
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    9.2A
  • 電力 - 最大
    3.1W
  • 偏光
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 他の名前
    SI4288DY-T1-GE3CT
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    24 Weeks
  • 製造元の部品番号
    SI4288DY-T1-GE3
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    15nC @ 10V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    2.5V @ 250µA
  • FET特長
    2 N-Channel (Dual)
  • 拡張された説明
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9.2A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    Logic Level Gate
  • 説明
    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    40V

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メーカー: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4226DY-T1-GE3

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説明: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
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SI4214DDY-T1-GE3

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説明: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
SI4311-B21-GM

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説明: IC RECEIVER FSK 315/434MHZ 20QFN

メーカー: Energy Micro (Silicon Labs)
在庫あり
RFQ
SI4226DY-T1-E3

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在庫あり
RFQ
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