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5256462SI3460BDV-T1-GE3絵Vishay Siliconix

SI3460BDV-T1-GE3

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規格
  • 部品型番
    SI3460BDV-T1-GE3
  • メーカー/ブランド
    Vishay / Siliconix
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SI3460BDV-T1-GE3.pdf
  • 電圧 - テスト
    860pF @ 10V
  • 電圧 - ブレークダウン
    6-TSOP
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • シリーズ
    TrenchFET®
  • RoHSステータス
    Tape & Reel (TR)
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    8A (Tc)
  • 偏光
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    15 Weeks
  • 製造元の部品番号
    SI3460BDV-T1-GE3
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    24nC @ 8V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    1V @ 250µA
  • FET特長
    N-Channel
  • 拡張された説明
    N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    -
  • 説明
    MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    20V
  • 静電容量比
    2W (Ta), 3.5W (Tc)

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SI3460DV-T1-GE3

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説明: MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP

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