2024年の電子展の聴衆のための指示

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7041258TPH3206PSB絵Transphorm

TPH3206PSB

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規格
  • 部品型番
    TPH3206PSB
  • メーカー/ブランド
    Transphorm
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 650V 16A TO220AB
  • フリーステータス/ RoHS状態
  • 仕様書
    TPH3206PSB.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.6V @ 500µA
  • Vgs（最大）
    ±18V
  • 技術
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220AB
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    180 mOhm @ 10A, 8V
  • 電力消費（最大）
    81W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    6 Weeks
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    720pF @ 480V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    6.2nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    8V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    650V
  • 詳細な説明
    N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    16A (Tc)

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