2024年の電子展の聴衆のための指示

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553625

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS6E65C,S1AQ

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規格

部品型番

TRS6E65C,S1AQ
メーカー/ブランド

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
在庫数量

在庫あり
説明

DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
フリーステータス/ RoHS状態

鉛フリー/ RoHS準拠
仕様書

TRS6E65C,S1AQ.pdf
電圧 - ピーク逆（最大）

Silicon Carbide Schottky
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@

6A (DC)
電圧 - ブレークダウン

TO-220-2L
シリーズ

-
RoHSステータス

Tube
逆回復時間（trrの）

No Recovery Time > 500mA (Io)
もし、F @抵抗

35pF @ 650V, 1MHz
偏光

TO-220-2
他の名前

TRS6E65C,S1AQ(S
TRS6E65C,S1Q
TRS6E65C,S1Q(S
TRS6E65CS1AQ
TRS6E65CS1AQ(S
TRS6E65CS1Q
TRS6E65CS1Q-ND
動作温度 - ジャンクション

0ns
装着タイプ

Through Hole
水分感受性レベル（MSL）

1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム

12 Weeks
製造元の部品番号

TRS6E65C,S1AQ
拡張された説明

Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A (DC) Through Hole TO-220-2L
ダイオード構成

90µA @ 650V
説明

DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
電流 - 漏れ@ Vrとリバース

1.7V @ 6A
電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり）

650V
Vrと、F @キャパシタンス

175°C (Max)

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支払い

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説明: HEATSHRINK MARKER 0 LEGEND BK

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説明: TEMPERATURE SENSORS 80C +/-2.5C

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説明: HEATSHRINK MARKER 3 LEGEND ORG

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