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376419TPN1R603PL,L1Q絵Toshiba Semiconductor and Storage

TPN1R603PL,L1Q

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規格
  • 部品型番
    TPN1R603PL,L1Q
  • メーカー/ブランド
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    TPN1R603PL,L1Q.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    10V @ 10µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • シリーズ
    U-MOSIX-H
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    1.2 mOhm @ 80A, 10V
  • 電力消費（最大）
    104W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    8-PowerVDFN
  • 他の名前
    TPN1R603PL,L1Q(M
    TPN1R603PLL1Q
    TPN1R603PLL1QTR
  • 運転温度
    175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    3900pF @ 15V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    41nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    30V
  • 詳細な説明
    N-Channel 30V 80A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
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