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5815772TPH2R506PL,L1Q絵Toshiba Semiconductor and Storage

TPH2R506PL,L1Q

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規格
  • 部品型番
    TPH2R506PL,L1Q
  • メーカー/ブランド
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    TPH2R506PL,L1Q.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.5V @ 500µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    8-SOP Advance (5x5)
  • シリーズ
    U-MOSIX-H
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    4.4 mOhm @ 30A, 4.5V
  • 電力消費（最大）
    132W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    8-PowerVDFN
  • 他の名前
    TPH2R506PL,L1Q(M
    TPH2R506PLL1Q
    TPH2R506PLL1QTR
  • 運転温度
    175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    5435pF @ 30V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    60nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    60V
  • 詳細な説明
    N-Channel 60V 100A (Tc) 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    100A (Tc)

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TPH3206LDB

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説明: MOSFET N-CH 650V 16A PQFN

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TPH1R204PL,L1Q

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TPH2900ENH,L1Q

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