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TPC8012-H(TE12L,Q)

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規格
  • 部品型番
    TPC8012-H(TE12L,Q)
  • メーカー/ブランド
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.TPC8012-H(TE12L,Q).pdf
    2.TPC8012-H(TE12L,Q).pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    5V @ 1mA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    8-SOP (5.5x6.0)
  • シリーズ
    π-MOSV
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    400 mOhm @ 900mA, 10V
  • 電力消費（最大）
    1W (Ta)
  • パッケージング
    Original-Reel®
  • パッケージ/ケース
    8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 他の名前
    TPC8012-HDKR
    TPC8012-HDKR-ND
    TPC8012-HQDKR
    TPC8012HTE12LQ
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    440pF @ 10V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    11nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    200V
  • 詳細な説明
    N-Channel 200V 1.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    1.8A (Ta)

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説明: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

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説明: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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TPC8032-H(TE12LQM)

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説明: MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B

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TPC8035-H(TE12L,QM

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説明: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

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TPC8.2AHM3/86A

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説明: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC SMPC

メーカー: Vishay Semiconductor Diodes Division
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TPC8031-H(TE12LQM)

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説明: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

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TPC8021-H(TE12LQ,M

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説明: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
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