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418921TK8R2A06PL,S4X絵Toshiba Semiconductor and Storage

TK8R2A06PL,S4X

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規格
  • 部品型番
    TK8R2A06PL,S4X
  • メーカー/ブランド
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    TK8R2A06PL,S4X.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.5V @ 300µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220SIS
  • シリーズ
    U-MOSIX-H
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    11.4 mOhm @ 8A, 4.5V
  • 電力消費（最大）
    36W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3 Full Pack
  • 他の名前
    TK8R2A06PL,S4X(S
    TK8R2A06PLS4X
  • 運転温度
    175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    1990pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    28.4nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    60V
  • 詳細な説明
    N-Channel 60V 50A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    50A (Tc)

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