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739353TK4R3E06PL,S1X絵Toshiba Semiconductor and Storage

TK4R3E06PL,S1X

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規格
  • 部品型番
    TK4R3E06PL,S1X
  • メーカー/ブランド
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    TK4R3E06PL,S1X.pdf
  • ECADモデル
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.5V @ 500µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220
  • シリーズ
    U-MOSIX-H
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    7.2 mOhm @ 15A, 4.5V
  • 電力消費（最大）
    87W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3
  • 他の名前
    TK4R3E06PL,S1X(S
    TK4R3E06PLS1X
  • 運転温度
    175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    3280pF @ 30V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    48.2nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    60V
  • 詳細な説明
    N-Channel 60V 80A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    80A (Tc)

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