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6150194TK17N65W,S1F絵Toshiba Semiconductor and Storage

TK17N65W,S1F

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規格
  • 部品型番
    TK17N65W,S1F
  • メーカー/ブランド
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    TK17N65W,S1F.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    3.5V @ 900µA
  • Vgs（最大）
    ±30V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-247
  • シリーズ
    DTMOSIV
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    200 mOhm @ 8.7A, 10V
  • 電力消費（最大）
    165W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • 他の名前
    TK17N65W,S1F(S
    TK17N65WS1F
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    1800pF @ 300V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    45nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    650V
  • 詳細な説明
    N-Channel 650V 17.3A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-247
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    17.3A (Ta)

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