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6794239TK100A10N1,S4X絵Toshiba Semiconductor and Storage

TK100A10N1,S4X

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規格
  • 部品型番
    TK100A10N1,S4X
  • メーカー/ブランド
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    TK100A10N1,S4X.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4V @ 1mA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220SIS
  • シリーズ
    U-MOSVIII-H
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    3.8 mOhm @ 50A, 10V
  • 電力消費（最大）
    45W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3 Full Pack
  • 他の名前
    TK100A10N1,S4X(S
    TK100A10N1,S4X-ND
    TK100A10N1S4X
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    8800pF @ 50V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    140nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    100V
  • 詳細な説明
    N-Channel 100V 100A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    100A (Tc)

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TK1005800000G

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説明: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

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TK10A60E,S4X

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説明: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

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説明: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

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TK100A06N1,S4X

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説明: MOSFET N-CH 60V 100A TO-220

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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TK1-L2-12V

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TK100E08N1,S1X

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説明: MOSFET N-CH 80V 100A TO220

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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TK10A60D(STA4,Q,M)

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説明: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS

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