2024年の電子展の聴衆のための指示

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2189798RN4983,LF(CT絵Toshiba Semiconductor and Storage

RN4983,LF(CT

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    RN4983,LF(CT
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  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和(最大)
    300mV @ 250µA, 5mA
  • トランジスタ型式
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    US6
  • シリーズ
    -
  • 抵抗器ベース(R2)
    22 kOhms
  • 抵抗器 - ベース(R1)
    22 kOhms
  • 電力 - 最大
    200mW
  • パッケージング
    Original-Reel®
  • パッケージ/ケース
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 他の名前
    RN4983(T5LFT)DKR
    RN4983(T5LFT)DKR-ND
    RN4983LF(CTDKR
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    250MHz, 200MHz
  • 詳細な説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小)
    70 @ 10mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断(最大)
    500nA
  • 電流 - コレクタ(Ic)(Max)
    100mA
RN4987FE,LF(CB

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説明: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN4987,LF(CT

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RN4985,LF(CT

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RN4984,LF(CT

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RN4907FE,LF(CB

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RN4908(T5L,F,T)

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RN4983FE,LF(CB

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RN4986FE,LF(CB

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RN4982FE,LF(CB

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RN4984FE,LF(CB

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RN4984(T5L,F,T)

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