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4427448RN2909(T5L,F,T)絵Toshiba Semiconductor and Storage

RN2909(T5L,F,T)

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規格
  • 部品型番
    RN2909(T5L,F,T)
  • メーカー/ブランド
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    RN2909(T5L,F,T).pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    300mV @ 250µA, 5mA
  • トランジスタ型式
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    US6
  • シリーズ
    -
  • 抵抗器ベース（R2）
    22 kOhms
  • 抵抗器 - ベース（R1）
    47 kOhms
  • 電力 - 最大
    200mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 他の名前
    RN2909(T5LFT)TR
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    200MHz
  • 詳細な説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    70 @ 10mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    100nA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    100mA

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RN2961FE(TE85L,F)

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説明: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

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RN2909FE(TE85L,F)

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説明: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2911(T5L,F,T)

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説明: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

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RN2906,LF

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RN2908FE(TE85L,F)

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RN2962(TE85L,F)

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RN2904FE,LF

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説明: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

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RN2907(T5L,F,T)

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RN2905FE,LF(CB

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RN2962FE(TE85L,F)

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RN2908(T5L,F,T)

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RN2911,LF

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RN2906(T5L,F,T)

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RN2907FE,LF(CB

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RN2910(T5L,F,T)

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RN2961(TE85L,F)

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RN2911FE(TE85L,F)

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RN2906FE(TE85L,F)

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RN2910FE,LF(CB

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