2024年の電子展の聴衆のための指示

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5016309RN2707JE(TE85L,F)絵Toshiba Semiconductor and Storage

RN2707JE(TE85L,F)

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  • 部品型番
    RN2707JE(TE85L,F)
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和(最大)
    300mV @ 250µA, 5mA
  • トランジスタ型式
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    ESV
  • シリーズ
    -
  • 抵抗器ベース(R2)
    47 kOhms
  • 抵抗器 - ベース(R1)
    10 kOhms
  • 電力 - 最大
    100mW
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    SOT-553
  • 他の名前
    RN2707JE(TE85LF)CT
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    200MHz
  • 詳細な説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小)
    80 @ 10mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断(最大)
    100nA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ(Ic)(Max)
    100mA
RN2703JE(TE85L,F)

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説明: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2706JE(TE85L,F)

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説明: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2713JE(TE85L,F)

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説明: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2704JE(TE85L,F)

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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2902(T5L,F,T)

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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2705JE(TE85L,F)

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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2702TE85LF

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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2701JE(TE85L,F)

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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2711JE(TE85L,F)

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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2712JE(TE85L,F)

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RN262CST2R

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RN2709JE(TE85L,F)

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RN2708JE(TE85L,F)

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RN262GT2R

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RN2608(TE85L,F)

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