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RN1131MFV(TL3,T)絵

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1131MFV(TL3,T)

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規格

部品型番

RN1131MFV(TL3,T)
メーカー/ブランド

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
在庫数量

在庫あり
説明

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
フリーステータス/ RoHS状態

鉛フリー/ RoHS準拠
仕様書

RN1131MFV(TL3,T).pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）

50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）

300mV @ 500µA, 5mA
トランジスタ型式

NPN - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ

VESM
シリーズ

-
抵抗器 - ベース（R1）

100 kOhms
電力 - 最大

150mW
パッケージング

Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース

SOT-723
他の名前

RN1131MFV(TL3T)TR
RN1131MFVTL3T
装着タイプ

Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）

1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス

Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）

120 @ 1mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）

100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）

100mA

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