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3862290MT3S111P(TE12L,F)絵Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111P(TE12L,F)

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規格
  • 部品型番
    MT3S111P(TE12L,F)
  • メーカー/ブランド
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    MT3S111P(TE12L,F).pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    6V
  • トランジスタ型式
    NPN
  • サプライヤデバイスパッケージ
    PW-MINI
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    1W
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    TO-243AA
  • 他の名前
    MT3S111P(TE12LF)CT
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • ノイズ指数（F @デシベル標準）
    1.25dB @ 1GHz
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    12 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 利得
    10.5dB
  • 周波数 - トランジション
    8GHz
  • 詳細な説明
    RF Transistor NPN 6V 100mA 8GHz 1W Surface Mount PW-MINI
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    200 @ 30mA, 5V
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    100mA

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