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2SK2845(TE16L1,Q)

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規格

部品型番

2SK2845(TE16L1,Q)
メーカー/ブランド

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
在庫数量

在庫あり
説明

MOSFET N-CH 900V 1A DP
フリーステータス/ RoHS状態

鉛フリー/ RoHS準拠
仕様書

1.2SK2845(TE16L1,Q).pdf
2.2SK2845(TE16L1,Q).pdf
同上@ VGS（TH）（最大）

4V @ 1mA
Vgs（最大）

±30V
技術

MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ

DP
シリーズ

-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）

9 Ohm @ 500mA, 10V
電力消費（最大）

40W (Tc)
パッケージング

Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
運転温度

150°C (TJ)
装着タイプ

Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）

1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス

Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds

350pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs

15nC @ 10V
FETタイプ

N-Channel
FET特長

-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン

900V
詳細な説明

N-Channel 900V 1A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount DP
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）

1A (Ta)

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支払い

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