2024年の電子展の聴衆のための指示

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3023942SB1457,T6YMEF(M絵Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6YMEF(M

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規格
  • 部品型番
    2SB1457,T6YMEF(M
  • メーカー/ブランド
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PNP 2A 100V TO226-3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    2SB1457,T6YMEF(M.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    100V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    1.5V @ 1mA, 1A
  • トランジスタ型式
    PNP
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-92MOD
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    900mW
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body
  • 他の名前
    2SB1457T6YMEF(M
    2SB1457T6YMEFM
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    50MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 50MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    2000 @ 1A, 2V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    10µA (ICBO)
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    2A

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