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10058162SA965-O,F(J絵Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O,F(J

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規格
  • 部品型番
    2SA965-O,F(J
  • メーカー/ブランド
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    2SA965-O,F(J.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    120V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    1V @ 50mA, 500mA
  • トランジスタ型式
    PNP
  • サプライヤデバイスパッケージ
    LSTM
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    900mW
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body
  • 他の名前
    2SA965-OF(J
    2SA965OFJ
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    120MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    80 @ 100mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    100nA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
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