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64004512SA1930,Q(J絵Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,Q(J

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規格
  • 部品型番
    2SA1930,Q(J
  • メーカー/ブランド
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PNP 2A 180V TO220-3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    2SA1930,Q(J.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    180V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    1V @ 100mA, 1A
  • トランジスタ型式
    PNP
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220NIS
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    2W
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3 Full Pack
  • 他の名前
    2SA1930Q(J
    2SA1930QJ
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    200MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 180V 2A 200MHz 2W Through Hole TO-220NIS
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    100 @ 100mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    5µA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
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