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752395TC58BYG2S0HBAI6絵Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG2S0HBAI6

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規格
  • 部品型番
    TC58BYG2S0HBAI6
  • メーカー/ブランド
    Kioxia America, Inc.
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    TC58BYG2S0HBAI6.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    25ns
  • 電源電圧 -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 技術
    FLASH - NAND (SLC)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    67-VFBGA (6.5x8)
  • シリーズ
    Benand™
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    67-VFBGA
  • 他の名前
    TC58BYG2S0HBAI6JDH
    TC58BYG2S0HBAI6YCL
  • 運転温度
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Non-Volatile
  • 記憶容量
    4Gb (512M x 8)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    FLASH
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
  • アクセス時間
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