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5500911TSM60NB190CI C0G絵TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM60NB190CI C0G

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規格
  • 部品型番
    TSM60NB190CI C0G
  • メーカー/ブランド
    Taiwan Semiconductor
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 600V 18A ITO220
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    TSM60NB190CI C0G.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±30V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    ITO-220
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    190 mOhm @ 6A, 10V
  • 電力消費（最大）
    33.8W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • 他の名前
    TSM60NB190CI C0G-ND
    TSM60NB190CIC0G
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    24 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    1273pF @ 100V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    31nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    600V
  • 詳細な説明
    N-Channel 600V 18A (Tc) 33.8W (Tc) Through Hole ITO-220
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
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TSM60N900CH C5G

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