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2819099TSM2N7000KCT A3G絵TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM2N7000KCT A3G

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規格
  • 部品型番
    TSM2N7000KCT A3G
  • メーカー/ブランド
    Taiwan Semiconductor
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    TSM2N7000KCT A3G.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.5V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-92
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    5 Ohm @ 100mA, 10V
  • 電力消費（最大）
    400mW (Ta)
  • パッケージング
    Tape & Box (TB)
  • パッケージ/ケース
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 他の名前
    TSM2N7000KCT A3GTB
    TSM2N7000KCT A3GTB-ND
    TSM2N7000KCTA3GTB
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    20 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    7.32pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    0.4nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    60V
  • 詳細な説明
    N-Channel 60V 300mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    300mA (Ta)

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