2024年の電子展の聴衆のための指示

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5212078RS2JAHR3G絵TSC (Taiwan Semiconductor)

RS2JAHR3G

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規格
  • 部品型番
    RS2JAHR3G
  • メーカー/ブランド
    Taiwan Semiconductor
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    RS2JAHR3G.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.3V @ 1.5A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    600V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    DO-214AC (SMA)
  • 速度
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    250ns
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    DO-214AC, SMA
  • 他の名前
    RS2JAHR3GTR
  • 動作温度 - ジャンクション
    -55°C ~ 150°C
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 600V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    5µA @ 600V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    1.5A
  • Vrと、F @キャパシタンス
    50pF @ 4V, 1MHz

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説明: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
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説明: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
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説明: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

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