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3181353RS1JLHM2G絵TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1JLHM2G

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規格
  • 部品型番
    RS1JLHM2G
  • メーカー/ブランド
    Taiwan Semiconductor
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    RS1JLHM2G.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.3V @ 800mA
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    600V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    Sub SMA
  • 速度
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q101
  • 逆回復時間（trrの）
    250ns
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    DO-219AB
  • 動作温度 - ジャンクション
    -55°C ~ 150°C
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    25 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 600V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    5µA @ 600V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    800mA
  • Vrと、F @キャパシタンス
    10pF @ 4V, 1MHz

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