2024年の電子展の聴衆のための指示

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2502270MUR4L60HB0G絵TSC (Taiwan Semiconductor)

MUR4L60HB0G

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規格
  • 部品型番
    MUR4L60HB0G
  • メーカー/ブランド
    Taiwan Semiconductor
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    MUR4L60HB0G.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.28V @ 4A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    600V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    DO-201AD
  • 速度
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q101
  • 逆回復時間（trrの）
    50ns
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    DO-201AD, Axial
  • 動作温度 - ジャンクション
    -55°C ~ 175°C
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    12 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 600V 4A Through Hole DO-201AD
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    10µA @ 600V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    4A
  • Vrと、F @キャパシタンス
    65pF @ 4V, 1MHz

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