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F1T6GHA0G

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規格
  • 部品型番
    F1T6GHA0G
  • メーカー/ブランド
    Taiwan Semiconductor
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    F1T6GHA0G.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.3V @ 1A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    800V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TS-1
  • 速度
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q101
  • 逆回復時間（trrの）
    500ns
  • パッケージング
    Tape & Box (TB)
  • パッケージ/ケース
    T-18, Axial
  • 動作温度 - ジャンクション
    -55°C ~ 150°C
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    12 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 800V 1A Through Hole TS-1
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    5µA @ 800V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    1A
  • Vrと、F @キャパシタンス
    15pF @ 4V, 1MHz

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