2024年の電子展の聴衆のための指示

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825845ESH3B M6G絵TSC (Taiwan Semiconductor)

ESH3B M6G

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規格
  • 部品型番
    ESH3B M6G
  • メーカー/ブランド
    Taiwan Semiconductor
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    ESH3B M6G.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    900mV @ 3A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    100V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    DO-214AB (SMC)
  • 速度
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    20ns
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    DO-214AB, SMC
  • 他の名前
    ESH3B M6G-ND
    ESH3BM6G
  • 動作温度 - ジャンクション
    -55°C ~ 175°C
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 100V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    5µA @ 100V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    3A
  • Vrと、F @キャパシタンス
    45pF @ 4V, 1MHz

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ESH337M016AG3AA

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説明: CAP ALUM 330UF 20% 16V RADIAL

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メーカー: TSC (Taiwan Semiconductor)
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説明: CAP ALUM 3.3UF 20% 50V RADIAL

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ESH3B V6G

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説明: CAP ALUM 330UF 20% 25V RADIAL

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説明: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

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ESH3B-M3/57T

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説明: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
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ESH3B R7G

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説明: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

メーカー: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ESH3BHE3/57T

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説明: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

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ESH336M050AC3AA

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ESH338M010AL3AA

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RFQ
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