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3151016ES3DB R5G絵TSC (Taiwan Semiconductor)

ES3DB R5G

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規格
  • 部品型番
    ES3DB R5G
  • メーカー/ブランド
    Taiwan Semiconductor
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    ES3DB R5G.pdf
  • ECADモデル
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1V @ 3A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    200V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    DO-214AA (SMB)
  • 速度
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    35ns
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    DO-214AA, SMB
  • 他の名前
    ES3DB R5GCT
    ES3DB R5GCT-ND
    ES3DBR5GCT
  • 動作温度 - ジャンクション
    -55°C ~ 150°C
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    8 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    10µA @ 200V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    3A
  • Vrと、F @キャパシタンス
    46pF @ 4V, 1MHz

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ES3D-E3/9AT

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説明: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

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ES3DHE3_A/H

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説明: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

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