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SICRB5650TR

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規格
  • 部品型番
    SICRB5650TR
  • メーカー/ブランド
    Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SICRB5650TR.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.7V @ 5A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    650V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    D2PAK
  • 速度
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    0ns
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 動作温度 - ジャンクション
    -55°C ~ 175°C
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • メーカーの標準リードタイム
    12 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Silicon Carbide Schottky
  • 詳細な説明
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 5A Surface Mount D2PAK
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    60µA @ 650V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    5A
  • Vrと、F @キャパシタンス
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