2024年の電子展の聴衆のための指示

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1N5620C.TR

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規格
  • 部品型番
    1N5620C.TR
  • メーカー/ブランド
    Semtech
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • フリーステータス/ RoHS状態
  • 仕様書
    1N5620C.TR.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.1V @ 1A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    800V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    Axial
  • 速度
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    2µs
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    Axial
  • 動作温度 - ジャンクション
    -65°C ~ 175°C
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    Not Applicable
  • メーカーの標準リードタイム
    12 Weeks
  • ダイオードタイプ
    Avalanche
  • 詳細な説明
    Diode Avalanche 800V 2A Through Hole Axial
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    500nA @ 800V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    2A
  • Vrと、F @キャパシタンス
    23pF @ 5V, 1MHz

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メーカー: Vishay Semiconductor Diodes Division
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