2024年の電子展の聴衆のための指示

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1152735STGYA120M65DF2絵STMicroelectronics

STGYA120M65DF2

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規格
  • 部品型番
    STGYA120M65DF2
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    STGYA120M65DF2.pdf
  • ECADモデル
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    650V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    1.95V @ 15V, 120A
  • 試験条件
    400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    66ns/185ns
  • エネルギーの切り替え
    1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    MAX247™
  • シリーズ
    *
  • 逆回復時間（trrの）
    202ns
  • 電力 - 最大
    625W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3 Exposed Pad
  • 他の名前
    497-16976
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    42 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    NPT, Trench Field Stop
  • ゲートチャージ
    420nC
  • 詳細な説明
    IGBT NPT, Trench Field Stop 650V 160A 625W Through Hole MAX247™
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    360A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    160A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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メーカー: STMicroelectronics
在庫あり
RFQ
STGY80H65DFB

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説明: IGBT 650V 120A 469W MAX247

メーカー: STMicroelectronics
在庫あり
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STGWT60H65DFB

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STGWT40HP65FB

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説明: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

メーカー: STMicroelectronics
在庫あり
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STGWT60H60DLFB

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説明: IGBT 600V 80A 375W TO3P-3L

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STGWT60V60DLF

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説明: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3

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在庫あり
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STGWT80H65FB

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説明: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

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RFQ
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RFQ
STGWT60H65FB

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説明: IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

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STGWT40H60DLFB

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説明: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L

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STGWT60V60DF

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説明: IGBT 600V 80A 375W TO3P

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