2024年の電子展の聴衆のための指示

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5978544STGY40NC60VD絵STMicroelectronics

STGY40NC60VD

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規格
  • 部品型番
    STGY40NC60VD
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 600V 80A 260W MAX247
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    STGY40NC60VD.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    600V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.5V @ 15V, 40A
  • 試験条件
    390V, 40A, 3.3 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    43ns/140ns
  • エネルギーの切り替え
    330µJ (on), 720µJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    MAX247™
  • シリーズ
    PowerMESH™
  • 逆回復時間（trrの）
    44ns
  • 電力 - 最大
    260W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • 他の名前
    497-6736-5
    STGY40NC60VD-ND
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    38 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    -
  • ゲートチャージ
    214nC
  • 詳細な説明
    IGBT 600V 80A 260W Through Hole MAX247™
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    80A
  • ベース部品番号
    STG*40NC

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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メーカー: STMicroelectronics
在庫あり
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STGWT40V60DF

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説明: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3

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STGWT40H65FB

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説明: IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

メーカー: STMicroelectronics
在庫あり
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STGWT80V60F

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説明: IGBT 600V 120A 469W TO-3P

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在庫あり
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STGWT40H65DFB

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STGWT40HP65FB

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説明: IGBT BIPO 600V 60A TO3P

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STGWT60H60DLFB

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説明: IGBT 600V 80A 375W TO3P-3L

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STGYA120M65DF2

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説明: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

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STGWT60V60DF

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STGYA120M65DF2AG

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説明: IGBT

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STGWT80H65DFB

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STGWT60H65FB

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在庫あり
RFQ
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