2024年の電子展の聴衆のための指示

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4768899STGB3NB60FDT4絵STMicroelectronics

STGB3NB60FDT4

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規格
  • 部品型番
    STGB3NB60FDT4
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 600V 6A 68W D2PAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    STGB3NB60FDT4.pdf
  • ECADモデル
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    600V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.4V @ 15V, 3A
  • 試験条件
    480V, 3A, 10 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    12.5ns/105ns
  • エネルギーの切り替え
    125µJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    D2PAK
  • シリーズ
    PowerMESH™
  • 逆回復時間（trrの）
    45ns
  • 電力 - 最大
    68W
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 他の名前
    497-2449-1
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    -
  • ゲートチャージ
    16nC
  • 詳細な説明
    IGBT 600V 6A 68W Surface Mount D2PAK
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    24A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    6A
  • ベース部品番号
    STG*3NB

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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