2024年の電子展の聴衆のための指示

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4204570STGB35N35LZ-1絵STMicroelectronics

STGB35N35LZ-1

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規格
  • 部品型番
    STGB35N35LZ-1
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 345V 40A 176W I2PAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    STGB35N35LZ-1.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    345V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    1.7V @ 4.5V, 15A
  • 試験条件
    300V, 15A, 5V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    1.1µs/26.5µs
  • エネルギーの切り替え
    -
  • サプライヤデバイスパッケージ
    I2PAK
  • シリーズ
    PowerMESH™
  • 電力 - 最大
    176W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • 他の名前
    497-10987-5
    STGB35N35LZ-1-ND
    STGB35N35LZ1
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Logic
  • IGBTタイプ
    -
  • ゲートチャージ
    49nC
  • 詳細な説明
    IGBT 345V 40A 176W Through Hole I2PAK
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    80A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    40A
  • ベース部品番号
    STG*35N

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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STGB4M65DF2

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説明: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

メーカー: STMicroelectronics
在庫あり
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STGB30NC60WT4

STGB30NC60WT4

説明: IGBT 600V 60A 200W D2PAK

メーカー: STMicroelectronics
在庫あり
RFQ
STGB5H60DF

STGB5H60DF

説明: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

メーカー: STMicroelectronics
在庫あり
RFQ
STGB40H65FB

STGB40H65FB

説明: IGBT BIPO 650V 40A D2PAK

メーカー: STMicroelectronics
在庫あり
RFQ
STGB30H65FB

STGB30H65FB

説明: IGBT

メーカー: STMicroelectronics
在庫あり
RFQ
STGB3NB60FDT4

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説明: IGBT 600V 6A 68W D2PAK

メーカー: STMicroelectronics
在庫あり
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STGB3HF60HD

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説明: IGBT 600V 7.5A D2PAK

メーカー: STMicroelectronics
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STGB30H60DLLFBAG

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説明: IGBT

メーカー: STMicroelectronics
在庫あり
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STGB35N35LZT4

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説明: IGBT 345V 40A 176W D2PAK

メーカー: STMicroelectronics
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RFQ
STGB30H60DLFB

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説明: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

メーカー: STMicroelectronics
在庫あり
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説明: IGBT 600V 10A 50W D2PAK

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RFQ
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説明: IGBT 650V 30A D2PAK

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説明: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S

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説明: IGBT 600V 80A 283W D2PAK

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STGB30NC60KT4

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説明: IGBT 600V 60A 185W D2PAK

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RFQ
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