2024年の電子展の聴衆のための指示

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4146791NAND01GW3B2AN6E絵STMicroelectronics

NAND01GW3B2AN6E

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規格
  • 部品型番
    NAND01GW3B2AN6E
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    NAND01GW3B2AN6E.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    30ns
  • 電源電圧 -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 技術
    FLASH - NAND
  • サプライヤデバイスパッケージ
    48-TSOP
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 他の名前
    497-4617
  • 運転温度
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Non-Volatile
  • 記憶容量
    1Gb (128M x 8)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    FLASH
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 30ns 48-TSOP
  • ベース部品番号
    NAND01G
  • アクセス時間
    30ns

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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