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NAND02GW3B2DZA6E

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規格
  • 部品型番
    NAND02GW3B2DZA6E
  • メーカー/ブランド
    Micron Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    NAND02GW3B2DZA6E.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    25ns
  • 電源電圧 -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 技術
    FLASH - NAND
  • サプライヤデバイスパッケージ
    63-VFBGA (9.5x12)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    63-TFBGA
  • 運転温度
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Non-Volatile
  • 記憶容量
    2Gb (256M x 8)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    FLASH
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 25ns 63-VFBGA (9.5x12)
  • ベース部品番号
    NAND02G
  • アクセス時間
    25ns

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