2024年の電子展の聴衆のための指示

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JAN2N6800

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規格
  • 部品型番
    JAN2N6800
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-39
  • シリーズ
    Military, MIL-PRF-19500/557
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    1.1 Ohm @ 3A, 10V
  • 電力消費（最大）
    800mW (Ta), 25W (Tc)
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    TO-205AF Metal Can
  • 他の名前
    JAN2N6800-MIL
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    34.75nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    400V
  • 詳細な説明
    N-Channel 400V 3A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    3A (Tc)

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