2024年の電子展の聴衆のための指示

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JAN2N6300

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規格
  • 部品型番
    JAN2N6300
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN DARL 60V 8A TO66
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    JAN2N6300.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    60V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    3V @ 80mA, 8A
  • トランジスタ型式
    NPN - Darlington
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-66 (TO-213AA)
  • シリーズ
    Military, MIL-PRF-19500/539
  • 電力 - 最大
    75W
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    TO-213AA, TO-66-2
  • 他の名前
    1086-21101
    1086-21101-MIL
  • 運転温度
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    22 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 8A 75W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    750 @ 4A, 3V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    500µA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    8A

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説明: TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33

メーカー: Microsemi
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JAN2N6350

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説明: TRANS NPN DARL 80V 5A TO33

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説明: TRANS NPN DARL 100V 20A TO-3

メーカー: Microsemi
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