2024年の電子展の聴衆のための指示

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6383358JAN1N5551絵Microsemi

JAN1N5551

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規格
  • 部品型番
    JAN1N5551
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    JAN1N5551.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.2V @ 9A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    400V
  • 速度
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • シリーズ
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • 逆回復時間（trrの）
    2µs
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    B, Axial
  • 他の名前
    1086-2097
    1086-2097-MIL
  • 動作温度 - ジャンクション
    -65°C ~ 175°C
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    8 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 400V 3A Through Hole
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    1µA @ 400V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    3A
  • Vrと、F @キャパシタンス
    -

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メーカー: Microsemi
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JAN1N5546D-1

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説明: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

メーカー: Microsemi Corporation
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説明: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

メーカー: Microsemi
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説明: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

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説明: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

メーカー: Microsemi
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