2024年の電子展の聴衆のための指示

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JAN1N3600

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規格
  • 部品型番
    JAN1N3600
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    JAN1N3600.pdf
  • 電圧 - ピーク逆（最大）
    Standard
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    200mA (DC)
  • 電圧 - ブレークダウン
    DO-7
  • シリーズ
    Military, MIL-PRF-19500/231
  • RoHSステータス
    Bulk
  • 逆回復時間（trrの）
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • もし、F @抵抗
    -
  • 偏光
    DO-204AA, DO-7, Axial
  • 他の名前
    1086-16797
    1086-16797-MIL
  • 動作温度 - ジャンクション
    4ns
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 製造元の部品番号
    JAN1N3600
  • 拡張された説明
    Diode Standard 50V 200mA (DC) Through Hole DO-7
  • ダイオード構成
    100nA @ 50V
  • 説明
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    1V @ 200mA
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）（ダイオード当たり）
    50V
  • Vrと、F @キャパシタンス
    -65°C ~ 175°C

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説明: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

メーカー: Microsemi
在庫あり
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