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APTM10DHM09T3G

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規格
  • 部品型番
    APTM10DHM09T3G
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4V @ 2.5mA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SP3
  • シリーズ
    POWER MOS V®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    10 mOhm @ 69.5A, 10V
  • 電力 - 最大
    390W
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    SP3
  • 運転温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Chassis Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    9875pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    350nC @ 10V
  • FETタイプ
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • FET特長
    Standard
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    100V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 139A 390W Chassis Mount SP3
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    139A

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