2024年の電子展の聴衆のための指示

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APTGTQ100A65T1G

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規格
  • 部品型番
    APTGTQ100A65T1G
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    POWER MODULE - IGBT
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    APTGTQ100A65T1G.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    650V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.2V @ 15V, 100A
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SP1
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    250W
  • パッケージ/ケース
    Module
  • 運転温度
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • NTCサーミスタ
    Yes
  • 装着タイプ
    Chassis Mount
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（量Cies）@ Vceは
    6nF @ 25V
  • 入力
    Standard
  • IGBTタイプ
    -
  • 詳細な説明
    IGBT Module Half Bridge 650V 100A 250W Chassis Mount SP1
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    100µA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    100A
  • コンフィギュレーション
    Half Bridge

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説明: POWER MODULE - IGBT

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説明: POWER MODULE - IGBT

メーカー: Microsemi
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APTGT75TA120PG

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メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
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