2024年の電子展の聴衆のための指示

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APTGT75DA170D1G

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規格
  • 部品型番
    APTGT75DA170D1G
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 1700V 120A 520W D1
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    1700V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.4V @ 15V, 75A
  • サプライヤデバイスパッケージ
    D1
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    520W
  • パッケージ/ケース
    D1
  • 運転温度
    -
  • NTCサーミスタ
    No
  • 装着タイプ
    Chassis Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（量Cies）@ Vceは
    6.5nF @ 25V
  • 入力
    Standard
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • 詳細な説明
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 120A 520W Chassis Mount D1
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    5mA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    120A
  • コンフィギュレーション
    Single

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説明: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4

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説明: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

メーカー: Microsemi
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RFQ
APTGT75DA120T1G

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説明: IGBT 1200V 110A 357W SP1

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APTGT75DA120D1G

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説明: IGBT 1200V 110A 357W D1

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RFQ
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