2024年の電子展の聴衆のための指示

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APTGT100DA120D1G

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規格
  • 部品型番
    APTGT100DA120D1G
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 1200V 150A 520W D1
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.APTGT100DA120D1G.pdf
    2.APTGT100DA120D1G.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    1200V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.1V @ 15V, 100A
  • サプライヤデバイスパッケージ
    D1
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    520W
  • パッケージ/ケース
    D1
  • 運転温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • NTCサーミスタ
    No
  • 装着タイプ
    Chassis Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（量Cies）@ Vceは
    7nF @ 25V
  • 入力
    Standard
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • 詳細な説明
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 150A 520W Chassis Mount D1
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    3mA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    150A
  • コンフィギュレーション
    Single

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