2024年の電子展の聴衆のための指示

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APTC90H12T2G

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規格
  • 部品型番
    APTC90H12T2G
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    APTC90H12T2G.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    3.5V @ 3mA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SP2
  • シリーズ
    CoolMOS™
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    120 mOhm @ 26A, 10V
  • 電力 - 最大
    250W
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    SP2
  • 運転温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Chassis Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    6800pF @ 100V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    270nC @ 10V
  • FETタイプ
    4 N-Channel (H-Bridge)
  • FET特長
    Super Junction
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    900V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP2
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    30A

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説明: MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1

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説明: MOSFET N-CH 900V 59A SP1

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説明: SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

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説明: SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

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説明: MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4

メーカー: Microsemi
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